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2N5551,412
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | 2N5551,412 |
| Beschreibung: | TRANS NPN 160V 0.3A TO-92 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 630mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Transistortyp | NPN |
| Basis-Teilenummer | 2N5551 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 300MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92-3 |
| Vce Sättigung (Max.) | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 300mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 80 @ 10mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 160V |
Auf Lager 62 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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