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CSD87312Q3E

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: CSD87312Q3E
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie NexFET™
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Basis-Teilenummer CSD87312
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 33mOhm @ 7A , 8V
Lieferanten-Gerätepaket 8-VSON (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1250pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 27A

Auf Lager 5148 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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