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CSD86330Q3D
| Hersteller: | NA |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | CSD86330Q3D |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NA |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 6W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Basis-Teilenummer | CSD86330 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-LSON (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.2nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 920pF @ 12.5V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A |
Auf Lager 13994 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.88 | $1.84 | $1.81 |
Minimale: 1
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