Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
CSD85312Q3E
| Hersteller: | NA |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | CSD85312Q3E |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NA |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2.5W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 15.2nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2390pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 39A |
Auf Lager 2552 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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