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CSD19537Q3T

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CSD19537Q3T
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14.5mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-VSON (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1680pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 8503 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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