CSD19537Q3T
Hersteller: | NA |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | CSD19537Q3T |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | NA |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | NexFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 14.5mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-VSON (3.3x3.3) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 21nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1680pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 8503 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1