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CSD19536KTTT

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CSD19536KTTT
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DDPAK/TO-263-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 153nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 12000pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 1984 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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