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CSD17579Q3AT

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CSD17579Q3AT
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.2mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-VSONP (3x3.15)
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 998pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 6316 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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