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CSD16570Q5BT

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CSD16570Q5BT
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 0.59mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-VSONP (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 250nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 14000pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 7887 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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