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CSD13306WT

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CSD13306WT
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.9W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-DSBGA (1x1.5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1370pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 2240 pcs

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