CSD13306WT
Hersteller: | NA |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | CSD13306WT |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | NA |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | NexFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-UFBGA, DSBGA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.9W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-DSBGA (1x1.5) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 11.2nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1370pF @ 6V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 2240 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1