Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BQ4014YMB-120

Hersteller: NA
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: BQ4014YMB-120
Beschreibung: IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tube
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 120ns
Speichergröße 2Mb (256K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Basis-Teilenummer BQ4014
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 32-DIP Module (18.42x52.96)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 120ns

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds