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BQ4011LYMA-70N

Hersteller: NA
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: BQ4011LYMA-70N
Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 70ns
Speichergröße 256Kb (32K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Basis-Teilenummer BQ4011
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 28-DIP Module (18.42x37.72)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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