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BQ4010MA-200

Hersteller: NA
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: BQ4010MA-200
Beschreibung: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 200ns
Speichergröße 64Kb (8K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Basis-Teilenummer BQ4010
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.5V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 28-DIP Module (18.42x37.72)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200ns

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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