Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

NAND512R3A2SN6E

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: NAND512R3A2SN6E
Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NAND
Zugriffszeit 50ns
Speichergröße 512Mb (64M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-TSOP I
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50ns

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NAND512R3A2SZA6F
Micron Technology Inc.
$0
MT49H32M18CFM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
$0
MT49H32M18CFM-25E:B
Micron Technology Inc.
$0
MT49H32M18CFM-25:B TR
Micron Technology Inc.
$0
MT46V32M16TG-5B IT:JTR
Alliance Memory, Inc.
$0