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NAND04GW3B2DN6E

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: NAND04GW3B2DN6E
Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NAND
Zugriffszeit 25ns
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Basis-Teilenummer NAND04G
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-TSOP
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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