Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
NAND04GW3B2DN6E
| Hersteller: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | NAND04GW3B2DN6E |
| Beschreibung: | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Speicherformat | FLASH |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Basis-Teilenummer | NAND04G |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 48-TSOP |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Auf Lager 71 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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