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MT49H32M18CSJ-18:B

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT49H32M18CSJ-18:B
Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie DRAM
Zugriffszeit 15ns
Speichergröße 576Mb (32M x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 144-TFBGA
Taktfrequenz 533MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 144-FBGA (18.5x11)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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