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MT47H512M4THN-37E:E TR

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT47H512M4THN-37E:E TR
Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM - DDR2
Zugriffszeit 500ps
Speichergröße 2Gb (512M x 4)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 63-FBGA
Taktfrequenz 267MHz
Basis-Teilenummer MT47H512M4
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 63-FBGA (9x11.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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