Image is for reference only , details as Specifications

MT47H256M8EB-25E:C

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT47H256M8EB-25E:C
Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - DDR2
Zugriffszeit 400ps
Speichergröße 2Gb (256M x 8)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 60-TFBGA
Taktfrequenz 400MHz
Basis-Teilenummer MT47H256M8
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 60-FBGA (9x11.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 1146 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$17.14 $16.80 $16.46
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FM25V20A-DGQ
Cypress Semiconductor Corp
$17.06
MR25H40CDC
Everspin Technologies, Inc.
$16.71
RP-SEMC08DA1
Panasonic Electronic Components
$16.7
IS21ES08G-JCLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$16.02
IS61WV51216BLL-10MLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$15.93