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MT41J512M8RH-107:E

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT41J512M8RH-107:E
Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - DDR3
Zugriffszeit 20ns
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 78-TFBGA
Taktfrequenz 933MHz
Basis-Teilenummer MT41J512M8
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 78-FBGA (9x10.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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