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MT41J512M4HX-187E:D
| Hersteller: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | MT41J512M4HX-187E:D |
| Beschreibung: | IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Zugriffszeit | 13.125ns |
| Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speicherformat | DRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 78-TFBGA |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Basis-Teilenummer | MT41J512M4 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 1.425V ~ 1.575V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 78-FBGA (9x11.5) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Auf Lager 66 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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