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MT40A2G4WE-083E:B

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT40A2G4WE-083E:B
Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - DDR4
Speichergröße 8Gb (2G x 4)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Last Time Buy
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 78-TFBGA
Taktfrequenz 1.2GHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.26V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 78-FBGA (8x12)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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