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M29W512GH7AN6E

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: M29W512GH7AN6E
Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Bulk
Technologie FLASH - NOR
Zugriffszeit 70ns
Speichergröße 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 56-TSOP
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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