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EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 512Mb (16M x 32)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 134-VFBGA
Taktfrequenz 533MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 134-VFBGA (10x11.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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