Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Bulk
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 1Gb (64M x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 134-VFBGA
Taktfrequenz 533MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 134-VFBGA (10x11.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K512M16HA-107 IT:A TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K2G4SN-107:A TR
Micron Technology Inc.
$0
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
$0
MT44K64M18RB-093F:A TR
Micron Technology Inc.
$0