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TPT5609-C-AP

Hersteller: Micro Commercial Co
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: TPT5609-C-AP
Beschreibung: DIODE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micro Commercial Co
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 750mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 190MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 80mA, 800mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 500mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 20V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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