TPT5609-C-AP
Hersteller: | Micro Commercial Co |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt: | TPT5609-C-AP |
Beschreibung: | DIODE |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Micro Commercial Co |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Serie | - |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 750mW |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Transistortyp | NPN |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | 190MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-92 |
Vce Sättigung (Max.) | 500mV @ 80mA, 800mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1A |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 120 @ 500mA, 2V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 20V |
Auf Lager 61 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1