SPU08P06P
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SPU08P06P |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tube |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | - |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 300mOhm @ 6.2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 42W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO251-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 13nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 420pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.83A (Ta) |
Auf Lager 93 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1