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SPS01N60C3

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SPS01N60C3
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 11W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 100pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 800mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 50 pcs

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