Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SPP12N50C3HKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SPP12N50C3HKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SPA12N50C3XKSA1
Infineon Technologies
$0
SPP16N50C3HKSA1
Infineon Technologies
$0
SPI07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
$0
SPP03N60C3HKSA1
Infineon Technologies
$0
SPP02N60C3HKSA1
Infineon Technologies
$0