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SPI07N60S5HKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SPI07N60S5HKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 350µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 970pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 51 pcs

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