Image is for reference only , details as Specifications

SPD07N60C3BTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SPD07N60C3BTMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 27nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 790pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SPD06N80C3BTMA1
Infineon Technologies
$0
SPD04N60C3BTMA1
Infineon Technologies
$0
SPD04N50C3BTMA1
Infineon Technologies
$0
SPD03N60C3BTMA1
Infineon Technologies
$0
SPD03N50C3BTMA1
Infineon Technologies
$0