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SGB15N120ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: SGB15N120ATMA1
Beschreibung: IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 130nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 198W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 800V, 15A, 33Ohm, 15V
Schalten der Energie 1.9mJ
TD (ein/aus) bei 25°C 18ns/580ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 52A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.92 $2.86 $2.80
Minimale: 1

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