Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
PTAB182002TCV2R250XTMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Beschreibung: | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 14.8dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 520mA |
| Paket / Fall | H-49248H-4 |
| Leistung - Ausgang | 29W |
| Spannung - Test | 28V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 65V |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | 10µA |
| Lieferanten-Gerätepaket | H-49248H-4 |
Auf Lager 70 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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