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ISP25DP06LMXTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ISP25DP06LMXTSA1
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V SOT223-4
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 270µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 250mOhm @ 1.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 13.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 420pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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