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IRLU3636PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLU3636PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 143W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 49nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3779pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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