IRLSL4030PBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRLSL4030PBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4.3mOhm @ 110A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 370W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-262 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 130nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 11360pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 77 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$5.58 | $5.47 | $5.36 |
Minimale: 1