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IRLMS2002TR

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLMS2002TR
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket Micro6™(SOT23-6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1310pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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