IRLMS2002TR
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRLMS2002TR |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | Micro6™(SOT23-6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 22nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1310pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 60 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1