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IRLIB4343

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLIB4343
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 39W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB Full-Pak
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 740pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 82 pcs

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