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IRLHS6342TR2PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLHS6342TR2PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-PQFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1019pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 58 pcs

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