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IRLHM630TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLHM630TRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max.) 62nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3170pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V

Auf Lager 3867 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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