Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IRL80HS120
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IRL80HS120 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 32mOhm @ 7.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 11.5W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 7nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 540pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 4433 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.91 | $0.89 | $0.87 |
Minimale: 1
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