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IRL6372PBF
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | IRL6372PBF |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tube |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Basis-Teilenummer | IRL6372PBF |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 11nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1020pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.1A |
Auf Lager 82 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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