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IRL3502PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRL3502PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7mOhm @ 64A, 7V
Verlustleistung (Max.) 140W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4700pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V

Auf Lager 79 pcs

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