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IRL3102S

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRL3102S
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V
Verlustleistung (Max.) 89W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 58nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2500pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V

Auf Lager 85 pcs

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