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IRL100HS121

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRL100HS121
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 11.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-PQFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 440pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 6565 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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