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IRG8CH37K10F
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | IRG8CH37K10F |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 100A DIE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Teilstatus | Active |
| Testbedingung | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | - |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 35ns/190ns |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 59 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.67 | $3.60 | $3.52 |
Minimale: 1
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