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IRG8B08N120KDPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IRG8B08N120KDPBF
Beschreibung: DIODE 1200V 8A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 45nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 89W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Testbedingung 600V, 5A, 47Ohm, 15V
Schalten der Energie 300µJ (on), 300µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 20ns/160ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 15A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 15A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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