IRG7CH81K10EF-R
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | IRG7CH81K10EF-R |
Beschreibung: | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Verpackung | Bulk |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 745nC |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Testbedingung | 600V, 150A, 1Ohm, 15V |
Schalten der Energie | - |
TD (ein/aus) bei 25°C | 70ns/330ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | Die |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 67 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1