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IRFU9N20D

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFU9N20D
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 86W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket IPAK (TO-251)
Gate Charge (Qg) (Max.) 27nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 560pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 82 pcs

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