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IRFU1018EPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFU1018EPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V
Verlustleistung (Max.) 110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket IPAK (TO-251)
Gate Charge (Qg) (Max.) 69nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2290pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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