Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IRFSL59N10D
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IRFSL59N10D |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-262 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 114nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2450pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 59A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 76 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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