IRFSL4310PBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRFSL4310PBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 130A TO-262 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 7mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 300W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-262 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 250nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7670pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 130A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 98 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1